تهیه پوشش نسوز کاربید سیلیکون (سیلیسیوم) به‌وسیله رسوب‌دهی (انباشت) شیمیایی از فاز بخار با استفاده از پیش‌ساز هگزا متیل‌ دی‌ سیلیل‌ آمین

محمد رضا عظیما نجف ابادی¹

1) کارشناسی رشته مهندسی شیمی دانشگاه ازاد واحد ولی عصر رفسنجان

کد IOI مقاله : XEHE-HCFBK
محل انتشار : اولین کنگره بین المللی علوم، مهندسی و فن آوری های نو(secongress.com/1st)
چکیده :
    برای اولین بار به‌وسیله رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) با استفاده از هگزامتیل‌دی‌سیلیل‌آمین (HMDS، C6H19NSi2) به‌عنوان پیش‌ساز و N2 به‌عنوان گاز حامل در محدوده دمای متوسط، پوشش کاربید سیلیکون (SiC) بر روی زیرلایه (بستر) کامپوزیت C/C رسوب داده شد. با استفاده از پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، اثرات دمای رسوب‌دهی بر ساختار فاز، مورفولوژی سطح و نرخ رسوب‌دهی پوشش مورد مطالعه قرار گرفت. این پوشش در دماهای °C 1010، °C 1060 و °C 1100 فاز β-SiC (3C)، در دماهای °C 1130 و °C 1180 وجود همزمان فازهای α-SiC (2H) و β-SiC (3C)، و در دمای °C 1220 نیز دوباره فاز واحد β-SiC (3C) را به نمایش می‌گذارد. با تغییر دمای رسوب‌دهی، مورفولوژی و ریزساختار این پوشش تغییر چشمگیری می‌کند. تغییر ساختار فاز و مورفولوژی سطح با هسته‌زایی، رشد و شکل‌گیری نقص در بلورهای SiC در طی فرآیند CVD ارتباط نزدیکی دارد.

کلمات کلیدی : sic پوشش‌دهی cvd بلور عیوب چینش دوقلو