یک میکسر فعال CMOS با خطینگی بالا برای گیرنده های Zero-IF پهن باند

سمانه محمودیان¹ توحید موسی زاده²

1) دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی، ایران
2) عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی، ایران

محل انتشار : سومین کنفرانس ملی مهندسی برق و کامیپوتر(iscelec.ir)
چکیده :
میکسر بخش مهمی از گیرنده های مخابراتی است که به‎ عنوان یک بلوک غیر خطی منشا ایجاد مولفه‎های مرتبه‎ی دوم و سوم غیر خطی می‎باشد و میزان خطی بودن آن به‎شدت روی خطی بودن کل گیرنده تاثیرگذار است. در این مقاله یک میکسر فعال با توان پایین و خطینگی بالا در باند فرکانسی 0/5 تا 5/5 گیگاهرتز در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS پیشنهاد شده است. ساختار مدار پیشنهادی براساس میکسر سلول گیلبرت است و برای افزایش خطینگی IIP3آن از ترکیب دو تکنیک DS)Derivative Superposition) و IM2 Injection استفاده کرده است؛ بطوریکه ترانزیستور کمکی PMOS به طور موازی با ترانزیستور طبقه RF و در ناحیه زیر آستانه به کار برده شده است. از سوی دیگر یک جریان هارمونیک مرتبه دوم به طبقه ورودی تزریق شده است تا در نهایت میزان اعوجاج مرتبه سوم کاهش یابد. ولتاژ تغذیه مدار پیشنهادی 1/2 ولت و میزان توان مصرفی مدار 1/26 میلی وات می باشد. با استفاده از این تکنیک بهره تبدیلdB 12/48 و عدد نویز dB 12/66 حاصل می¬شود. مقدار IIP3 به عنوان معیار خطینگی، dBm 8/5 نسبت به سلول گیلبرت متداول بهبود یافته است.
کلمات کلیدی : سلول گیلبرت میکسر فعال IIP3 خطینگی توان پایین پهن باند Derivative Superposition IM2 Injection زیرآستانه