شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه

امیر ابراهیم زاده¹ علیرضا کاشانی نیا²

1) دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران مرکزی، گروه مهندسی برق، تهران، ایران.
2) عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی.

محل انتشار : کنفرانس بین المللی پژوهش در مهندسی، علوم و تکنولوژِی(restconf.com)
چکیده :
دیود اثر میدان با اتصالات کناری جریان حالت روشن کمی دارد. استفاده از کرنش در کانال S-FED سبب بهبود مشخصه های الکتریکی افزاره خواهد شد. هدف پژوهش حاضر، شبیه¬سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه به منظور بهبود جریان حالت روشن در ساختار اتصالات کناری اثر میدان بوده است. شبیه‌سازی‌های عددی انجام شده با نرم‌افزارهای شبیه‌ساز افزاره مانند ISE-TCAD و Silvaco-ATLAS روش تحقیق در این پژوهش بوده است. برای نمایش بهتر خروجی نرم‌افزارهای شبیه‌ساز افزاره در MATLAB بازنمایی شدند. برای اعتبارسنجی، نتایج حاصل شده با نتایج قبلی که توسط دیگران در پایگاه داده IEEE گزارش شده است، مقایسه گردید. نتایج بررسی‌های انجام شده در این پژوهش نشان می‌دهد که در سیلیکان تحت کرنش، زیر Gate1 بهبود نسبی قابلیت حرکت برای الکترون و حفره حاصل شده است، اگرچه زیر Gate2 قابلیت حرکت الکترون و حفره کاهش یافته است. در سیلیکان تحت کرنش، بهبود قابلیت حرکت زیر Gate1 را می توان به کرنش و کاهش قابلیت حرکت زیر Gate2 را می توان به اثرات ولتاژ گیت بالا نسبت داد. علاوه بر این، قابلیت حرکت برای الکترون و حفره در لایه Si0.6Ge0.4نسبت به ساختار S-FED افزایش یافته است.
کلمات کلیدی : شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان کرنش دومحوری کانال کوتاه.