بررسی تأثیر کاهش تأخیر زمانی گیت افزاره دیود اثر میدان در رژیم نانومتر

امیر ابراهیم زاده¹ علیرضا کاشانی نیا²

1) دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران مرکزی، گروه مهندسی برق، تهران، ایران
2) عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

محل انتشار : کنفرانس بین المللی پژوهش در مهندسی، علوم و تکنولوژِی(restconf.org)
چکیده :
دیود اثر میدان یکی از افزاره‌هایی است که برای طول کانال‌های بزرگ‌تر از 100nm عملکرد بهتری نسبت به یک MOSFET با ابعاد مشابه دارد. هدف پژوهش حاضر، بررسی تأثیر کاهش تأخیر زمانی گیت افزاره دیود اثر میدان در رژیم نانومتر بوده است. شبیه‌سازی‌های عددی انجام شده با نرم‌افزارهای شبیه‌ساز افزاره مانند ISE-TCAD و Silvaco-ATLAS روش تحقیق در این پژوهش بوده است. برای نمایش بهتر خروجی نرم‌افزارهای شبیه‌ساز افزاره در MATLAB بازنمایی شدند. برای اعتبارسنجی، نتایج حاصل شده با نتایج قبلی که توسط دیگران در پایگاه داده IEEE گزارش شده است، مقایسه گردید. نتایج بررسی‌های انجام شده در این پژوهش نشان می‌دهد که برای طول کانال 75nm با درصد مولی ژرمانیوم 0.4 تأخیر ذاتی گیت 85 درصد بهبود می‌یابد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد؛ ولتاژ زانو برای افزاره پیشنهاد شده از 0.9V به 0.6V کاهش یافته است. این امر سبب کاهش توان مصرفی افزاره می‌شود.
کلمات کلیدی : گیت افزاره دیود اثر میدان رژیم نانومتر.