تاثیر تغییر طول نانوسیم های ZnO در جریان فتوالکتریکی آنها

محدثه کاسه گر¹ سید صالح قریشی² شهریار تمندانی³

1) دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه علامه محدث
2) عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد
3) عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث

محل انتشار : دومین کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی(2iceasconf.com)
چکیده :
در این مقاله قصد داریم تا به بررسی اثر تغییرات طول نانوسیم های ZnO بر روی میزان جریان نوری آنها بپردازیم.برای این منظور ابتدا به محاسبه جریان فتوالکتریکی در نانوسیم ها پرداخته تحت تابش ثابت, تاثیر تغییر طول نانوسیم را روی این جریان محاسبه میکنیم. این موضوع را برای تابش های مختلف تکرار کرده و در هر بار تکرار طول نانو سیم ها را تغییر می دهیم. مشاهده می شود که هنگامی که طول نانوسیم از حدود 8µm بیشتر شود عملا شاهد تثبیت این جریان خواهیم بود.دلیل این موضوع طول عمر حامل های در نانوسیم ها می باشد که بعد از 8µm باز ترکیب قابل ملاحظه حامل ها باعث تثبیت جریان می شود. در عمل هنگامیکه طول نانو سیم از طول نفوذ بیشتر شود حاملها اجازه نفوذ بیشتری نداشته و بازترکیب خواهند شد. ملاحظه می شود در این شرایط با افزایش ولتاژ , جریان نانو سیم تقریبا ثابت باقی می ماند.
کلمات کلیدی : طول نانو سیم ها, نانوسیم های ZnO , جریان نانو سیم, جریان فتوالکتریکی,ضریب نفوذ