بررسی عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS با تغییر فزیکی لایه جاذب

هاشم فیروزی¹ محسن ایمانیه²

1) دانشجوی کارشناسی اشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
2) دکتری تخصصی الکترونیک ، عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

محل انتشار : دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی(2icesconf.com)
چکیده :
در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدي، با ساختار Cu In1-xGax Se2 می پردازیم ،سلول خورشیدی CIGS شامل لایه های ZnO (لایه TCO ) ، Cd_S( لایه بافر) ، CIGS (لایه جاذب) و لایه MO ( زیر لایه ) می باشد ، که لایه Cd_S و CIGS تشکیل یک پیوند PN می دهند. با استفاده از نرم افزار SILVACO سلول خورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده ، ابتدا با تغییر ضخامت لایه جاذب و سپس ضخامت لایه جاذب را ثابت و ناخالصی آن را تغییر داده و اثر آن بر روی عملکرد سلول را مورد بحث و بررسی قرار داده خواهد شد ، پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژ مدار باز ( VOC ) ، جریان اتصال کوتاه (ISC ) ،ماکزیمم توان ( Pmax ) ، عامل پر کننده(FF ) و راندمان (Efficiency ) می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده متوجه شدیم که افزایش ضخامت لایه جاذب بر عملکرد سلول خورشیدی اثر دارد ، البته این لایه را نمی توان بیش از حد ضخیم کرد چون دیگر نمی توان سلول خورشیدی را لایه نازک فرض کرد ، همچین افزایش ناخالصی لایه جاذب بعضی از پارامترها را بهبود و بعضی از پارامترهای سلول خورشیدی را کاهش می دهد.
کلمات کلیدی : راندمان لایه جاذب CIGS ISC VOC