طراحی یک تقویت کننده کلاس F با راندمان بالا

ریحانه کام روا¹ شعبان رضایی برجلو²

1) دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران -
2) استاد یار برق گرایش الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان، ایران -

محل انتشار : دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی(2icesconf.com)
چکیده :
اساس ساختمان تقویت کننده های توان قطعه فعال ( ترانزیستور ) است ، که نقش اصلی در تعیین قابلیت های تقویت کننده های توان از لحاظ توان خروجی ، بهره ، بازدهی ، خطسانی و پهنای باند را بازی می کند. تقویت کننده توان المان اصلی برای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد. تقویت کننده توان ، یک توان تغذیه DC را به یک مقدار خاصی از فرکانس رادیویی (RF ) و یا توان مایکروویو تبدیل می کنند. تولید توان RF / مایکروویو نه تنها برای سیستم های انتقال بی سیم، بلکه برای برنامه های کاربردی مانند پخش کننده پارازیت، تصویربرداری و گرمایش RF مورد نیاز است. در این پروژه از یک مدل آماده ترانزیستور GaAs-PHEMT با نام MRFG35010 ساخت شرکت MOTOROLA استفاده میکنیم . تقویت کننده توان پیشنهادی با استفاده از کلاس F در فرکانس مرکزی 2.14 گیگاهرتز با بازده 75.16 درصد طراحی شده است.
کلمات کلیدی : تقویت کننده توان راندمان RF ADS