شبیه سازی عددی راندمان اثر فتوولتاییک در لایه های سیلیکونی با استفاده از AMPS-1D

اشرف السادات میرکمالی¹ حکمت حلیم مومن اف²

1) دانشجوی دکتری فیزیک گرایش حالت ماده چگال، دانشگاه ازاد اسلامی واحد بهشهر
2) پروفسور فیزیک و ریاضیات ،انستیتو فیزیک تکنیکی عمراف،دانشگاه اکادمی علوم

کد IOI مقاله : XYFZ-BBZBF
محل انتشار : کنفرانس بین المللی علوم مهندسی و تکنولوژی(icoesat.com)
چکیده :
    در این مقاله ما به تجزیه و تحلیل پارامترها و راندمان تاثیر اثر فتوولتائیک بر لایه های سیلیکونی را با درنظرداشت تغییرات ضخامت و درجه حرارت آنها توسط نرم افزار AMPS-1D شبیه سازی و بررسی کردیم. شبیه سازی بازدهی به منظور تعیین بهینه ترین عملکرد لایه های سیلیکون نوع n و نوع p انجام شده است. نتایج در توافق خوبی با داده های تجربی به دست آمده از مطالعات می باشد. در این مقاله ما نشان دادیم که حداکثر مقدار فاکتور کارآیی (FF) برای لایه نوع n سیلیکون ، در درجه حرارت بهینه 200 کلوین و ضخامت بهینه 1000 نانومتر می باشد. همچنین برای لایه نوع p سیلیکون، فاکتور کارآیی (FF) تا درجه حرارت 300 K ثابت است و پس از آن کاهش می یابد. در زمان مشابه ،ضخامت نمونه تاثیر زیادی در تغییرفاکتور کارآیی ندارد.

کلمات کلیدی : amps 1d بازدهی فاکتور کارآیی ضخامت لایه سیلیکون