بررسی خاصیت پیزورزیستیویته پلی سیلیکون با تاکید بر رشد دانه ها و پارامتر های فرایند ساخت

حمید شرافت وزیری¹ زهرا رستمی بیستونی²

1) عضو هیات علمی, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه, کرمانشاه, ایران
2) دانش آموخته کارشناسی ارشد, گروه برق, دانشکده فنی مهندسی , دانشگاه آزاد اسلامی, واحد کرمانشاه,کرمانشاه,ایران

محل انتشار : کنگره بین المللی علوم مهندسی و توسعه شهری پایدار - کپنهاگ(dtuconf.eu)
چکیده :
ویژگی های الکتریکی لایه های سیلیکو نی پلی کریستالی به ساختار دانه ها بستگی دارد. این مقاله توصیف جامع از رشد دانه پلی سیلیکون در طیف گسترده ایی از دوپینگ و شرایط پردازش را نشان می دهد , دوپینگ پلی سیلیکون با B , As , p می باشد این نتایج نشان میدهد که دوپینگ نوع n باعث افزایش رشد دانه می شود , در حالیکه دوپینگ نوع P دارای اثر ناچیزی است, تاثیر رشد دانه را بر روی خاصیت پیزورزیستیویته نیز مشاهده می شود
کلمات کلیدی : پیزورزیستیو دوپینگ ناخالصی , نفوذ, رشد دانه