بررسی تجربی روش نوین ترموگرافی لاک این در یک شنت سلول های خورشیدی

نوید وفا¹ محمد رضا فراهانی²

1) 1 کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی مکانیک، پردیس دانشکده های فنی دانشگاه تهران ؛پردیس البرز دانشگاه تهران؛
2) 2 دانشیار، دانشکده مهندسی مکانیک، پردیس دانشکده های فنی دانشگاه تهران؛

محل انتشار : چهارمین کنگره بین المللی مهندسی، تکنولوژی و علوم کاربردی - نیوزلند(etas2019.com)
چکیده :
روش نوین غیرمخرب و غیر تماسی برای تشخیص فضایی جریانهای نشت کوچک در دستگاه های الکترونیکی و مواد ترموگرافی لاک این است. ترموگرافی لاک این مادون قرمز روشی بسیار حساس برای موضعی نمودن تغییرات دما ناشی از جریان نشت تا µK 10 با وضوح جانبی تا µm 5 است. جریانهای نشتی در حدود mA 1 می توانند در عرض چند ثانیه و چند μA بعد از اندازه گیری در کمتر از 1 ساعت شناسایی شوند. عیوب تولید شده یا ساختاری در مواد الکترونیکی و همچنین تخلیه های الکترونیکی یا ذرات هدایت کننده، دلایل احتمالی جریان های نشتی ناخواسته در دستگاه های الکترونیکی هستند. این جریانها ممکن است به کاهش کارآیی یک دستگاه یا حتی به شکست کامل آن منجر شوند. موضعی کردن این جریانهای نشتی، گام اول برای تحلیل دقیق منشاء عیب است. روش های مختلفی برای شناسایی منابع گرمای موضعی در دستگاه های الکترونیکی با استفاده از ترموگرافی میکروسکوپی ، بلورهای مایع دوکی یا ترموکرومیک،یا تصویربرداری میکروترمال فلورسنت (FMI) وجود دارند. با این وجود، دقت دمای تمام این تکنیک ها از مرتبه mK 100 است که برای تشخیص یک منبع حرارت موضعی ناشی از یک قدرت تخریب فقط چند میکرووات که منجر به ایجاد دمای به مراتب کمتر از mK1 در زیر اجزای سیلیکون شود کافی نیست. علاوه بر این، در بسیاری از موارد پوشش سطح دستگاه با یک لایه اضافی که برای تحقیقات FIS و کریستال مایع لازم است مجاز نیست. یکی دیگر از روش های معمول برای تشخیص جریان نشت در IC ها تشخیص نور قابل مشاهده یا نزدیک به تابناکی است که در IC ها تحت شرایط میدان الکتریکی بالا تولید می شود. با این حال، منابع حرارتی مقاومتی خالص هیچ تابناکی را نشان نمیدهد و شدت تابناکی با کاهش ولتاژ منبع کاهش می یابد. بنابراین نیاز فوری به تکنیک های تصویربرداری حرارتی بسیار حساس برای آزمایش دستگاه های الکترونیکی وجود دارد.
کلمات کلیدی : ترموگرافی آزمون IC تصوير ناقص ترموگرافي عیوب GOI