ثبت سفارش
Design and Analysis of High-Power Device Based on PZT/AlGaN/GaN by Ferroelectric-Gate Heterojunction
زبان مقاله : انگلیسی
محور مقاله :
محل انتشار : سومین کنگره بین المللی علوم، مهندسی و تکنولوژی - هامبورگ
آدرس وب سایت کنفرانس : germanconf.com
ارسال کننده : مجتبی حسین زاده ثانی
کد IOI مقاله : XCZE-EDCDA
لینک مستقیم مقاله : https://isnac.ir/XCZE-EDCDA
توجه
* برای ثبت سفارش گواهینامه پرکردن تمامی فیلد ها اجباری می باشد.لطفا قبل از پرداخت مشخصات گواهی را چک نمایید.
* گواهی پس از پرداخت قابل دانلود خواهد بود.
* لوح و گواهینامه چاپی 7 روز کاری پس از سفارش ارسال خواهد شد.
* برای ثبت سفارش گواهینامه پرکردن تمامی فیلد ها اجباری می باشد.لطفا قبل از پرداخت مشخصات گواهی را چک نمایید.
* گواهی پس از پرداخت قابل دانلود خواهد بود.
* لوح و گواهینامه چاپی 7 روز کاری پس از سفارش ارسال خواهد شد.
گواهی دیجیتال(دانلودی)
200 هزار تومان
گواهی چاپی
550 هزار تومان
لوح نمایه مقاله
1 میلیون و960 هزار تومان