طراحی و بررسی ساختاری قدرت بالا مبتنی بر PZT/AlGaN/GaN به وسیله اتصال جانبی فرروالکتریک-گیت

مجتبی حسین زاده ثانی¹ علی اکبر شاکری²

1) کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه بین المللی امام رضا (ع)، مشهد، ایران
2) دانشجویی کارشناسی ارشد برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد، بجنورد، ایران

کد IOI مقاله : XCZE-EDCDA
محل انتشار : سومین کنگره بین المللی علوم، مهندسی و تکنولوژی - هامبورگ(germanconf.com)
چکیده :
    تاكنون از مواد فرروالکتریک زیادی در بسیاری از ترانزیستورها مانند TFET و MOSFET استفاده شده است، اما مواد فروالكتریك در ترانزیستور HEMT می توانند عملکرد بهتری در کاربردهای حافظه داشته باشند. ساختار پیشنهادی ترانزیستور HEMT دارای اثرات قطبی سازی خاص خود است، در صورت استفاده از ماده فروالکتریک در این ترانزیستور، خصوصیات قطبی سازی ترانزیستور و فروالکتریک جمع می شوند و حافظه بیشتری نسبت به سایر سازه ها بدست می آید. این مقاله به شبیه سازی ساختار ترکیبی AlGaN / GaN HEMT پرداخته است ماده فروالکتریک و پایه گیت ترانریستور HFET بصورت جانبی به یکدیگر متصل شده اند. با استفاده از هسته فروالکتریک میزان قدرت و حافظه موجود در ترانزیستور افزایش می یابد. عملکرد حافظه را حتی پس از خاموش شدن برق می توان ذخیره کرد و خواص خروجی برای ترانزیستورهای HEMT عملکرد هترولیک دروازه آهن مخرب نیست. سرب زیرکنونی تیتان خورد (PZT) به عنوان ماده فروالکتریک انتخاب شده است. مقدار Ion = 10-1 ، Ioff = 10-14 و پنجره حافظه (MW = 2V) برای کاربردهای حافظه و افزایش 8٪ قدرت و ولتاژ آستانه در ترانزیستور پیشنهادی به 0.3- ولت کاهش می یابد.

کلمات کلیدی : فرروالکتریک گیت pzt/algan/gan قدرت بالا پنجره حافظه