Improved channel short-circuit effects in new-generation transistors with nanometer dimensions

نویسندگان : Yasser Salehi¹ Maryam Heydari Haratmeh² Mohammad Hadi Keshavarzi³
زبان مقاله : انگلیسی
محور مقاله : مهندسی برق
محل انتشار : دومین کنگره بین المللی مهندسی، فناوری و نوآوری
آدرس وب سایت کنفرانس : eticong.com/2nd
ارسال کننده : مریم حیدری هراتمه
کد IOI مقاله : XCCE-EEAAB
لینک مستقیم مقاله : https://isnac.ir/XCCE-EEAAB